另一个少年天才求伯均,张红卫安排他走的是软件编程方面的路子。
他同样是给了求伯均不少的指导,给了他一些专业书籍让他去学习。
张红卫还将自己的apple2给求伯均用,让他在电脑上练手。
这让求伯均进步飞快。
没用太久,求伯均就可以用苹果自带的编译器编写一些小程序了。
张红卫让他负责编写光刻机上需要用到的单片机的程序。
光刻机镜片的磨制被张红卫交给了北大物理系光学方面的专家焦继祖的手上。
北大物理系此前曾经被迁出过京城,这是刚刚回迁没多久。
焦继祖得到这个任务之后也非常的重视。
他也渴望能够在这个国家级重大课题研究中发挥一些作用。
尤其是张红卫告诉他,这组镜片对正在研究的光刻机非常的重要,而且,镜片的要求也十分的高之后,就更加激起了焦继祖的斗志。
焦继祖属于那种典型的传统老科学家,严谨、认真、负责,而且非常的敬业。
经过一个多月的努力,焦继祖带领他的学生日以继夜地埋头苦干,终于是研制出了完全合格的光刻机光学镜头。
张红卫测试验收之后,握着焦继祖的手说:“焦老师,太感谢了!”
“镜头解决之后,咱们的工作可就算是走过了最艰难的时段!”
焦继祖也很高兴,问:“光刻机大概什么时候能够研制出来?”
张红卫说:“应该差不多快了,目前光源、光路系统、单片机以及传感器、单片机系统都已经到位。”
“预计设备的其他部分也差不多快完工了。”
“预计还要再有一两个月,差不多就可以开始组装。”
在光刻机研制紧锣密鼓进行的同时,芯片产业自动化的其他研究项目也在同步进行中。
例如,制备高纯度硅粉的方法,在张红卫的要求下,采用的是化学工艺的三氯氢硅还原法。
这种制备方法有如下几个优点:
首先是可以大规模工业化生产。
其次是可以制备出高纯度的多晶硅,纯度甚至可以达到百分之九十九点九以上。
相比之下,物理工艺虽然可以保证颗粒的球形化和无定型率,但在纯度和粒径控制方面存在一定的局限性。
而且,物理工艺提纯硅粉也不太适宜大规模生产。
高纯度硅粉制备完成之后,还要使用单晶炉来进行单晶硅片的制造。
先进的单晶炉同样具有技术难点。
它的主要的技术难点就是温度控制、杂质控制和设备精度等方面。
单晶炉温度的控制是单晶硅生长过程中的关键因素。
它要求纵向温度梯度要大,这是单晶生长的驱动力。
而径向温度梯度需要控制得较小,以避免热应力导致的位错和晶体失败。
径向温度越大,拉晶越难,因此需要精确地控制热场的温度分布。
杂质控制也是单晶培育的一个技术难点。
在单晶硅的生长过程中,需要掺入一定量的电活性杂质来控制导电类型和电阻率。
但是,重金属和非金属杂质的存在也会严重影响PN结的性能,所以就需要严格控制杂质的含量和分布。
只有这样才能确保单晶硅的质量。